Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4894BDY-T1-E3
SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4894bd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4894BDY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI4894BDY-T1-E3 за ціною від 34.03 грн до 119.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4894BDY-T1-E3 SI4894BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4894bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
на замовлення 11198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.04 грн
10+76.50 грн
100+57.40 грн
500+42.64 грн
1000+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-E3 SI4894BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4894bd.pdf MOSFETs 30V 12V 1.4W
на замовлення 3766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.37 грн
10+80.11 грн
100+48.47 грн
500+43.47 грн
1000+37.52 грн
2500+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-E3 SI4894BDY-T1-E3 Виробник : Vishay 72993.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-E3 SI4894BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4894bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-E3 SI4894BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4894bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4894BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4894bd.pdf SI4894BDY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.