SI4894BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4894BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI4894BDY-T1-E3 за ціною від 33.34 грн до 140.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4894BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 11198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4894BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 12V 1.4W |
на замовлення 3971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI4894BDYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4894BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.18 грн |
| 10+ | 77.27 грн |
| 100+ | 57.98 грн |
| 500+ | 43.07 грн |
| 1000+ | 39.42 грн |
| SI4894BDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 12V 1.4W
MOSFETs 30V 12V 1.4W
на замовлення 3971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 140.61 грн |
| 10+ | 88.35 грн |
| 100+ | 51.73 грн |
| 500+ | 40.95 грн |
| 1000+ | 37.43 грн |
| 2500+ | 33.34 грн |
| SI4894BDYT1E3 |
Виробник: VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)