SI4894BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 123.16 грн |
| 10+ | 78.57 грн |
| 100+ | 53.63 грн |
| 500+ | 41.81 грн |
| 1000+ | 38.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4894BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4894BDY-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - Unlimited, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 1.4W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції SI4894BDY-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4894BDY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V |
на замовлення 1502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SI4894BDY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4894BDY-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - Unlimited Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1.4W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI4894BDY-T1-GE3 | VISHAY |
|
на замовлення 135500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4894BDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V
MOSFETs 30V 12A 2.5W 11mohm @ 10V
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI4894BDY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4894BDY-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - SI4894BDY-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
directShipCharge: 25
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4894BDY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
на замовлення 135500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)