SI4896DY-T1-GE3 Vishay Siliconix


71300.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4896DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI4896DY-T1-GE3 за ціною від 62.87 грн до 189.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4896DY-T1-GE3 SI4896DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors 71300.pdf MOSFETs 80V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.46 грн
10+105.37 грн
25+90.92 грн
100+81.05 грн
250+80.35 грн
500+79.65 грн
2500+62.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3 SI4896DY-T1-GE3 Vishay Siliconix 71300.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 3752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.51 грн
10+133.62 грн
100+102.47 грн
500+84.91 грн
1000+81.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3 71300.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+127.46 грн
10+105.37 грн
25+90.92 грн
100+81.05 грн
250+80.35 грн
500+79.65 грн
2500+62.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4896DY-T1-GE3 71300.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 3752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+189.51 грн
10+133.62 грн
100+102.47 грн
500+84.91 грн
1000+81.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.