SI4896DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4896DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4896DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 6.7 A, 0.0165 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.56W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.56W, Bauform - Transistor: NSOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI4896DY-T1-GE3 за ціною від 79.09 грн до 183.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4896DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4896DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4896DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4896DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4896DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4896DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V |
на замовлення 3752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4896DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 3091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
SI4896DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4896DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 6.7 A, 0.0165 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56W Bauform - Transistor: NSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SI4896DY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4896DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 6.7 A, 0.0165 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.56W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.56W Bauform - Transistor: NSOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI4896DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 88.32 грн |
| SI4896DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 88.48 грн |
| SI4896DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 115.28 грн |
| SI4896DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 116.59 грн |
| 10+ | 107.08 грн |
| 25+ | 105.92 грн |
| 100+ | 93.75 грн |
| 250+ | 86.48 грн |
| 500+ | 82.39 грн |
| 1000+ | 81.77 грн |
| SI4896DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 121+ | 116.59 грн |
| 132+ | 107.08 грн |
| 133+ | 105.92 грн |
| 145+ | 93.75 грн |
| 250+ | 86.48 грн |
| 500+ | 82.39 грн |
| 1000+ | 81.77 грн |
| SI4896DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
на замовлення 3752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 183.97 грн |
| 10+ | 129.71 грн |
| 100+ | 99.47 грн |
| 500+ | 82.43 грн |
| 1000+ | 79.09 грн |
| SI4896DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI4896DY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4896DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 6.7 A, 0.0165 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI4896DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 6.7 A, 0.0165 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4896DY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4896DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 6.7 A, 0.0165 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: NSOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI4896DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 6.7 A, 0.0165 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56W
Bauform - Transistor: NSOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)