SI4904DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 62.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4904DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI4904DY-T1-GE3 за ціною від 51.19 грн до 223.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4904DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4904DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4904DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 3504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4904DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 16V Vgs SO-8 |
на замовлення 15430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4904DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI4904DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 8A; Idm: 20A Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 20A Drain current: 8A Gate charge: 85nC Type of transistor: N-MOSFET x2 On-state resistance: 19mΩ Power dissipation: 3.25W Gate-source voltage: ±16V Case: SO8 Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SI4904DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 8A; Idm: 20A Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 20A Drain current: 8A Gate charge: 85nC Type of transistor: N-MOSFET x2 On-state resistance: 19mΩ Power dissipation: 3.25W Gate-source voltage: ±16V Case: SO8 Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
товару немає в наявності |