Продукція > VISHAY > SI4906DYT1E3

SI4906DYT1E3 VISHAY


Виробник: VISHAY

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4906DYT1E3 VISHAY

Description: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції SI4906DYT1E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4906DY-T1-E3 SI4906DY-T1-E3 Виробник : Vishay 73867.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
Si4906DY-T1-E3 Si4906DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 73867.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
Si4906DY-T1-E3 Si4906DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 73867.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товар відсутній
Si4906DY-T1-E3 Si4906DY-T1-E3 Виробник : Vishay / Siliconix 73867-1766163.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI4288DY-T1-GE3
товар відсутній