SI4909DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.17 грн |
| 10+ | 69.55 грн |
| 100+ | 46.39 грн |
| 500+ | 34.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4909DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI4909DY-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4909DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 659 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4909DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)