SI4925BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 163.40 грн |
| 10+ | 101.44 грн |
| 100+ | 69.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4925BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 1.1W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI4925BDY-T1-GE3 за ціною від 53.56 грн до 167.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4925BDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 7.1A 2.0W 25mohm @ 10V |
на замовлення 37828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SI4925BDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 7.1A 2.0W 25mohm @ 10V
MOSFETs 30V 7.1A 2.0W 25mohm @ 10V
на замовлення 37828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.00 грн |
| 10+ | 106.00 грн |
| 100+ | 63.68 грн |
| 500+ | 53.56 грн |