Інші пропозиції SI4925DDY-T1-GE3 за ціною від 22.07 грн до 111.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4925DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4925DDY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4925DDY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4925DDY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4925DDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8 Mounting: SMD Power dissipation: 5W Gate charge: 50nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: -5.9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: SO8 On-state resistance: 41mΩ |
на замовлення 1202 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI4925DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 46723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4925DDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 31398 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
SI4925DDY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 12733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
SI4925DDY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 12733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI4925DDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 29.82 грн |
| 5000+ | 26.63 грн |
| 7500+ | 25.57 грн |
| 12500+ | 22.88 грн |
| 17500+ | 22.22 грн |
| 25000+ | 22.07 грн |
| SI4925DDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 256+ | 55.26 грн |
| 258+ | 54.72 грн |
| 311+ | 45.43 грн |
| 314+ | 43.36 грн |
| 500+ | 35.39 грн |
| SI4925DDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 65.66 грн |
| 14+ | 55.26 грн |
| 25+ | 54.72 грн |
| 100+ | 43.81 грн |
| 250+ | 40.15 грн |
| 500+ | 33.97 грн |
| SI4925DDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 197+ | 71.73 грн |
| 227+ | 62.42 грн |
| 500+ | 45.49 грн |
| 1000+ | 42.38 грн |
| SI4925DDY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 5W
Gate charge: 50nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -5.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 41mΩ
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 5W
Gate charge: 50nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -5.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 41mΩ
на замовлення 1202 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 104.53 грн |
| 10+ | 66.86 грн |
| 50+ | 48.87 грн |
| 100+ | 42.59 грн |
| 500+ | 30.63 грн |
| 1000+ | 28.28 грн |
| SI4925DDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 46723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 111.05 грн |
| 10+ | 67.48 грн |
| 100+ | 44.88 грн |
| 500+ | 33.04 грн |
| 1000+ | 30.11 грн |
| SI4925DDY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 31398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI4925DDY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4925DDY-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)