Інші пропозиції SI4925DDY-T1-GE3 за ціною від 21.63 грн до 148.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4925DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4925DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4925DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 15139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4925DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4925DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4925DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.9A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1394 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4925DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 26660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4925DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 31398 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4925DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 15139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4925DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |