SI4925DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 29.37 грн |
| 5000+ | 26.23 грн |
| 7500+ | 25.18 грн |
| 12500+ | 22.53 грн |
| 17500+ | 21.88 грн |
| 25000+ | 21.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4925DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SI4925DDY-T1-GE3 за ціною від 26.01 грн до 149.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4925DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4925DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 15139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4925DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4925DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4925DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 41mΩ Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.9A Gate charge: 50nC |
на замовлення 1543 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4925DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 26660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4925DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 32034 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4925DDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 15139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI4925DDY-T1-GE3 Код товару: 140021
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
SI4925DDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |