Продукція > VISHAY > SI4925DDY-T1-GE3
SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3 Vishay

si4925dd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4925DDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4925DDY-T1-GE3 за ціною від 25.50 грн до 127.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.67 грн
500+39.15 грн
1000+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
161+76.13 грн
164+74.87 грн
239+51.20 грн
250+48.88 грн
500+36.03 грн
1000+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 161
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C99448EA20469&compId=SI4925DDY-T1-GE3.pdf?ci_sign=247ad2cca8e568a9e5989b1e2e4f6f77ff7828b1 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Kind of package: reel; tape
Drain current: -5.9A
Gate charge: 50nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+99.89 грн
6+66.50 грн
10+60.05 грн
32+29.24 грн
88+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4925dd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.12 грн
10+64.14 грн
100+42.92 грн
500+31.59 грн
1000+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4925dd.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 42352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.45 грн
10+71.25 грн
100+41.28 грн
500+33.05 грн
1000+30.11 грн
2500+27.54 грн
5000+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C99448EA20469&compId=SI4925DDY-T1-GE3.pdf?ci_sign=247ad2cca8e568a9e5989b1e2e4f6f77ff7828b1 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Kind of package: reel; tape
Drain current: -5.9A
Gate charge: 50nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.87 грн
5+82.87 грн
10+72.06 грн
32+35.09 грн
88+33.11 грн
1000+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+126.61 грн
10+81.57 грн
25+80.22 грн
100+52.90 грн
250+48.49 грн
500+37.06 грн
1000+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.82 грн
50+80.67 грн
100+53.67 грн
500+39.15 грн
1000+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3
Код товару: 140021
Додати до обраних Обраний товар

si4925dd.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4925dd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.