Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3

si4925dd.pdf
Код товару: 140021
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI4925DDY-T1-GE3 за ціною від 21.87 грн до 151.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4925dd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.55 грн
5000+26.39 грн
7500+25.34 грн
12500+22.67 грн
17500+22.02 грн
25000+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+55.39 грн
258+54.84 грн
311+45.53 грн
314+43.46 грн
500+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.34 грн
500+43.90 грн
1000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.80 грн
14+55.39 грн
25+54.84 грн
100+43.91 грн
250+40.24 грн
500+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay si4925dd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+71.89 грн
227+62.56 грн
500+45.59 грн
1000+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 VISHAY SI4925DDY-T1-GE3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.98 грн
10+67.79 грн
50+49.55 грн
100+43.18 грн
500+31.05 грн
1000+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4925dd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 46253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.22 грн
10+66.89 грн
100+44.48 грн
500+32.74 грн
1000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4925dd.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 31398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.30 грн
10+71.81 грн
100+41.23 грн
500+32.35 грн
1000+29.53 грн
2500+26.36 грн
5000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.30 грн
50+94.56 грн
100+61.34 грн
500+43.90 грн
1000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 si4925dd.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+29.55 грн
5000+26.39 грн
7500+25.34 грн
12500+22.67 грн
17500+22.02 грн
25000+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 si4925dd.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
256+55.39 грн
258+54.84 грн
311+45.53 грн
314+43.46 грн
500+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 VISH-S-A0002474085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4925DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+61.34 грн
500+43.90 грн
1000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 si4925dd.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+65.80 грн
14+55.39 грн
25+54.84 грн
100+43.91 грн
250+40.24 грн
500+34.05 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 si4925dd.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
197+71.89 грн
227+62.56 грн
500+45.59 грн
1000+42.47 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+105.98 грн
10+67.79 грн
50+49.55 грн
100+43.18 грн
500+31.05 грн
1000+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 si4925dd.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 46253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+110.22 грн
10+66.89 грн
100+44.48 грн
500+32.74 грн
1000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 si4925dd.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 31398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+114.30 грн
10+71.81 грн
100+41.23 грн
500+32.35 грн
1000+29.53 грн
2500+26.36 грн
5000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 VISH-S-A0002474085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4925DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4925DDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+151.30 грн
50+94.56 грн
100+61.34 грн
500+43.90 грн
1000+36.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.