Технічний опис SI4931DY-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції SI4931DY-T1-GE3 за ціною від 43.49 грн до 174.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4931DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 2034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4931DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SO-8 |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI4931DY-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI4931DY-T1-GE3 |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4931DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 159.38 грн |
| 10+ | 98.65 грн |
| 100+ | 66.95 грн |
| 500+ | 50.10 грн |
| 1000+ | 46.01 грн |
| SI4931DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SO-8
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SO-8
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 174.33 грн |
| 10+ | 109.42 грн |
| 100+ | 63.65 грн |
| 500+ | 51.95 грн |
| 1000+ | 46.03 грн |
| 2500+ | 43.49 грн |
| SI4931DY-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)