Продукція > VISHAY > SI4931DY-T1-GE3
SI4931DY-T1-GE3

SI4931DY-T1-GE3 Vishay

si4931dy.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+102.67 грн
10+85.58 грн
25+56.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4931DY-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції SI4931DY-T1-GE3 за ціною від 43.02 грн до 172.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4931DY-T1-GE3 SI4931DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4931dy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+157.66 грн
10+97.59 грн
100+66.23 грн
500+49.56 грн
1000+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-GE3 SI4931DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4931dy.pdf MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SO-8
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.45 грн
10+108.25 грн
100+62.96 грн
500+51.39 грн
1000+45.53 грн
2500+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-GE3 SI4931DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4931dy.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-GE3 si4931dy.pdf
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-GE3 SI4931DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4931dy.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-GE3 SI4931DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4931dy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4931dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8.9A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -30A
Drain current: -8.9A
Gate charge: 52nC
Type of transistor: P-MOSFET x2
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±8V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.