на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 58.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4931DY-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції SI4931DY-T1-GE3 за ціною від 47.31 грн до 196.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4931DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4931DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4931DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4931DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SO-8 |
на замовлення 2826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4931DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 13589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4931DY-T1-GE3 |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
SI4931DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI4931DY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI4931DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8.9A; 2W; SO8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: -30A Drain current: -8.9A Gate charge: 52nC Type of transistor: P-MOSFET x2 On-state resistance: 28mΩ Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±8V Case: SO8 Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SI4931DY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8.9A; 2W; SO8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: -30A Drain current: -8.9A Gate charge: 52nC Type of transistor: P-MOSFET x2 On-state resistance: 28mΩ Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±8V Case: SO8 Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
товару немає в наявності |