Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4931DY-T1-GE3
SI4931DY-T1-GE3

SI4931DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4931dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4931DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції SI4931DY-T1-GE3 за ціною від 42.84 грн до 185.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4931DY-T1-GE3 SI4931DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4931dy.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
159+80.72 грн
161+79.91 грн
190+67.56 грн
250+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-GE3 SI4931DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4931dy.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+107.60 грн
10+86.49 грн
25+85.62 грн
100+69.80 грн
250+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-GE3 SI4931DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4931dy.pdf MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SO-8
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.29 грн
10+94.45 грн
100+59.48 грн
500+58.52 грн
1000+58.45 грн
2500+42.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-GE3 SI4931DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4931dy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 13404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.56 грн
10+100.24 грн
100+69.27 грн
500+61.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-GE3 si4931dy.pdf
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-GE3 SI4931DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4931dy.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.