Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI4931DY-T1-E3
SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3 Vishay Semiconductors

si4931dy.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs SO-8
на замовлення 19810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+103.61 грн
10+72.79 грн
100+50.47 грн
500+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4931DY-T1-E3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції SI4931DY-T1-E3 за ціною від 73.76 грн до 120.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4931DY-T1-E3 SI4931DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4931dy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.53 грн
10+73.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-E3 SI4931DY-T1-E3 Vishay si4931dy.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-E3 VISHAY si4931dy.pdf
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DYT1E3 VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-E3 si4931dy.pdf
SI4931DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+120.53 грн
10+73.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-E3 si4931dy.pdf
SI4931DY-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DY-T1-E3 si4931dy.pdf
Виробник: VISHAY
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4931DYT1E3
Виробник: VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.