SI4932DY-T1-GE3 Vishay Siliconix


si4932dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+40.04 грн
5000+35.94 грн
7500+34.60 грн
12500+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4932DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI4932DY-T1-GE3 за ціною від 35.59 грн до 141.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4932DY-T1-GE3 SI4932DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4932dy.pdf MOSFETs 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V
на замовлення 21723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.15 грн
10+87.54 грн
100+50.82 грн
500+40.32 грн
1000+37.57 грн
2500+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4932DY-T1-GE3 SI4932DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4932dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 13586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.93 грн
10+87.35 грн
100+58.89 грн
500+43.84 грн
1000+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4932DY-T1-GE3 si4932dy.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V
на замовлення 21723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+138.15 грн
10+87.54 грн
100+50.82 грн
500+40.32 грн
1000+37.57 грн
2500+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4932DY-T1-GE3 si4932dy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 13586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+141.93 грн
10+87.35 грн
100+58.89 грн
500+43.84 грн
1000+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.