SI4936CDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 70.82 грн |
| 10+ | 42.47 грн |
| 100+ | 27.74 грн |
| 500+ | 20.06 грн |
| 1000+ | 18.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4936CDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції SI4936CDY-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4936CDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI4936CDY-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)