Продукція > VISHAY > SI4936CDY-T1-GE3
SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3 Vishay

si4936cdy.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4936CDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4936CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4936CDY-T1-GE3 за ціною від 16.41 грн до 84.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474116-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4936CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 12991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.64 грн
500+22.22 грн
1000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002474116-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4936CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 12971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.03 грн
50+41.35 грн
100+28.64 грн
500+22.22 грн
1000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB85D37AA64F60C7&compId=si4936cdy-t1-e3.pdf?ci_sign=90fd2b1e62740aefc82a1551863ac9c65766bedb Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+70.15 грн
10+42.00 грн
37+24.75 грн
100+23.37 грн
500+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4936cdy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.21 грн
10+44.06 грн
100+28.72 грн
500+20.77 грн
1000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4936cdy.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 20760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.13 грн
10+48.99 грн
25+42.52 грн
100+27.81 грн
500+21.63 грн
1000+19.57 грн
2500+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB85D37AA64F60C7&compId=si4936cdy-t1-e3.pdf?ci_sign=90fd2b1e62740aefc82a1551863ac9c65766bedb Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 645 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.18 грн
10+52.33 грн
37+29.70 грн
100+28.05 грн
500+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4936cdy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4936cdy.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4936cdy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.