на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 15.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4936CDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4936CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI4936CDY-T1-GE3 за ціною від 14.34 грн до 83.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4936CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4936CDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4936CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4936CDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 20A Drain current: 4.6A Gate charge: 9nC Type of transistor: N-MOSFET x2 On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 1.5W Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
на замовлення 2831 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4936CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 4040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4936CDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 20A Drain current: 4.6A Gate charge: 9nC Type of transistor: N-MOSFET x2 On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 1.5W Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2831 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4936CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 20360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4936CDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4936CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.033 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4936CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI4936CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |