Продукція > VISHAY > SI4943CDY-T1-GE3
SI4943CDY-T1-GE3

SI4943CDY-T1-GE3 Vishay

doc69985.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+85.35 грн
10+78.74 грн
25+77.95 грн
100+69.20 грн
250+63.39 грн
500+60.75 грн
1000+60.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4943CDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4943CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0275 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0275ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0275ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI4943CDY-T1-GE3 за ціною від 47.43 грн до 178.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4943CDY-T1-GE3 SI4943CDY-T1-GE3 Vishay doc69985.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+85.35 грн
180+78.74 грн
182+77.95 грн
198+69.20 грн
250+63.39 грн
500+60.75 грн
1000+60.65 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-GE3 SI4943CDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4943cdy.pdf MOSFETs -20V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 4248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.68 грн
10+109.42 грн
100+65.48 грн
500+52.09 грн
1000+51.31 грн
2500+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-GE3 SI4943CDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0014905712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4943CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0275 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0275ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0275ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.50 грн
10+111.83 грн
100+76.72 грн
500+52.15 грн
1000+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-GE3 SI4943CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4943cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.41 грн
10+110.33 грн
100+75.36 грн
500+56.67 грн
1000+52.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-GE3 doc69985.pdf
SI4943CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
166+85.35 грн
180+78.74 грн
182+77.95 грн
198+69.20 грн
250+63.39 грн
500+60.75 грн
1000+60.65 грн
Мінімальне замовлення: 166 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-GE3 si4943cdy.pdf
SI4943CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 4248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+172.68 грн
10+109.42 грн
100+65.48 грн
500+52.09 грн
1000+51.31 грн
2500+48.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-GE3 VISH-S-A0014905712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4943CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4943CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0275 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0275ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0275ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+173.50 грн
10+111.83 грн
100+76.72 грн
500+52.15 грн
1000+47.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-GE3 si4943cdy.pdf
SI4943CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+178.41 грн
10+110.33 грн
100+75.36 грн
500+56.67 грн
1000+52.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.