на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 34.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4943CDY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4943CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0275 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0275ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0275ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI4943CDY-T1-GE3 за ціною від 43.68 грн до 129.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4943CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4943CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4943CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4943CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4943CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4943CDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4943CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0275 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0275ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0275ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 4530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4943CDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -30A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Case: SO8 Drain-source voltage: -20V Drain current: -8A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 62nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
SI4943CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SI4943CDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI4943CDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -30A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A Case: SO8 Drain-source voltage: -20V Drain current: -8A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 62nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |