SI4946BEY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 39.17 грн |
| 5000+ | 35.92 грн |
| 12500+ | 34.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4946BEY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: TrenchFET Series, Bauform - Transistor: SOIC, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 3.7W, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, Verlustleistung, p-Kanal: 3.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033ohm, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 3.7W, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI4946BEY-T1-GE3 за ціною від 33.45 грн до 129.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.4A On-state resistance: 52mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 3.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 |
на замовлення 1125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.4A On-state resistance: 52mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 3.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1125 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.7W SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 19359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V 6.5A 3.7W 41mohm @ 10V |
на замовлення 8250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: TrenchFET Series Bauform - Transistor: SOIC Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 3.7W Drain-Source-Spannung Vds: 60V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V Verlustleistung, p-Kanal: 3.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm Dauer-Drainstrom Id: 6.5A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033ohm usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 3.7W SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SI4946BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |