Продукція > VISHAY > SI4946BEY-T1-GE3
SI4946BEY-T1-GE3

SI4946BEY-T1-GE3 Vishay

si4946be.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4946BEY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.7W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI4946BEY-T1-GE3 за ціною від 29.76 грн до 171.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4946BEY-T1-GE3 SI4946BEY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-GE3 SI4946BEY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-GE3 SI4946BEY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4946be.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.99 грн
5000+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-GE3 SI4946BEY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002473610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+83.25 грн
500+62.91 грн
1000+51.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-GE3 SI4946BEY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+101.10 грн
151+81.13 грн
200+76.89 грн
500+62.58 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-GE3 SI4946BEY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F399C181EC411C&compId=SI4946BEY-DTE.pdf?ci_sign=a655ba4d38ffd184a0bcddc24a06cf6b804ecf59 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+128.47 грн
23+41.36 грн
63+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-GE3 SI4946BEY-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F399C181EC411C&compId=SI4946BEY-DTE.pdf?ci_sign=a655ba4d38ffd184a0bcddc24a06cf6b804ecf59 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+154.16 грн
23+51.54 грн
63+46.95 грн
2500+45.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-GE3 SI4946BEY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4946be.pdf MOSFETs 60V 6.5A 3.7W 41mohm @ 10V
на замовлення 5291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.68 грн
10+108.87 грн
100+70.09 грн
500+57.03 грн
1000+50.70 грн
2500+46.80 грн
5000+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-GE3 SI4946BEY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002473610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+167.87 грн
50+113.05 грн
100+83.25 грн
500+62.91 грн
1000+51.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-GE3 SI4946BEY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4946be.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 13228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.78 грн
10+105.93 грн
100+72.21 грн
500+54.24 грн
1000+49.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946BEY-T1-GE3 SI4946BEY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4946be.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.