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Технічний опис SI4946CDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI4946CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI4946CDY-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SI4946CDY-T1-GE3 | VISHAY |
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на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SI4946CDY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4946CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.033 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI4946CDY-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
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Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
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SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI4946CDY-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
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SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
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Bauform - Transistor: SOIC
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Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




