Продукція > VISHAY / SILICONIX > SI4946CDY-T1-GE3
SI4946CDY-T1-GE3

SI4946CDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix

si4946cdy.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 62 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.62 грн
10+69.13 грн
100+39.20 грн
500+30.20 грн
1000+27.28 грн
2500+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4946CDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SI4946CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI4946CDY-T1-GE3 за ціною від 45.49 грн до 45.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4946CDY-T1-GE3 SI4946CDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010924737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4946CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3 SI4946CDY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010924737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4946CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4946cdy.pdf 2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 30, Qg, нКл = 10, Rds = 40,9 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 2,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2500+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3 VISH-S-A0010924737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4946CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4946CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3 VISH-S-A0010924737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4946CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4946CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4946CDY-T1-GE3 si4946cdy.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 30, Qg, нКл = 10, Rds = 40,9 мОм, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 2,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.