на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 20.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4948BEY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI4948BEY-T1-GE3 за ціною від 19.08 грн до 91.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4948BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4948BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4948BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4948BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4948BEY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.4A; Idm: -25A; 0.95W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -25A Case: SO8 Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.4A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.95W Polarisation: unipolar Gate charge: 22nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4948BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4948BEY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.4A; Idm: -25A; 0.95W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -25A Case: SO8 Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.4A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.95W Polarisation: unipolar Gate charge: 22nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4948BEY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 4952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4948BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 23151 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4948BEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI4948BEY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 4802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI4948BEY-T1-GE3 Код товару: 196052 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|