Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > SI4948BEY-T1-GE3

SI4948BEY-T1-GE3

si4948be.pdf
Код товару: 196052
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI4948BEY-T1-GE3 за ціною від 30.41 грн до 158.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.67 грн
22+35.54 грн
23+35.22 грн
25+33.67 грн
100+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4948be.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.40 грн
10+83.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 VISHAY SI4948BEY.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.95W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -25A
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+139.59 грн
10+89.38 грн
31+32.19 грн
83+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+158.43 грн
124+118.61 грн
250+95.32 грн
500+75.98 грн
1000+58.91 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4948be.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 17415 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+158.53 грн
10+75.72 грн
100+58.33 грн
500+46.17 грн
1000+42.12 грн
2500+37.84 грн
5000+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+50.67 грн
22+35.54 грн
23+35.22 грн
25+33.67 грн
100+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.40 грн
10+83.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY.pdf
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.95W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -25A
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+139.59 грн
10+89.38 грн
31+32.19 грн
83+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
93+158.43 грн
124+118.61 грн
250+95.32 грн
500+75.98 грн
1000+58.91 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 17415 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+158.53 грн
10+75.72 грн
100+58.33 грн
500+46.17 грн
1000+42.12 грн
2500+37.84 грн
5000+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.