Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > SI4948BEY-T1-GE3

SI4948BEY-T1-GE3

si4948be.pdf
Код товару: 196052
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI4948BEY-T1-GE3 за ціною від 29.89 грн до 153.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.03 грн
22+34.39 грн
23+34.09 грн
25+32.58 грн
100+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.81 грн
500+42.45 грн
1000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 VISHAY SI4948BEY.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
Power dissipation: 0.95W
On-state resistance: 0.15Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.69 грн
10+71.86 грн
100+51.33 грн
250+44.88 грн
500+40.38 грн
1000+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Vishay Semiconductors si4948be.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 8290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.57 грн
10+82.68 грн
100+48.28 грн
500+38.27 грн
1000+35.31 грн
2500+35.24 грн
5000+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.86 грн
10+86.34 грн
100+57.81 грн
500+42.45 грн
1000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4948be.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.59 грн
10+83.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+153.31 грн
124+114.78 грн
250+92.23 грн
500+73.52 грн
1000+57.00 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 Vishay si4948be.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+49.03 грн
22+34.39 грн
23+34.09 грн
25+32.58 грн
100+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+57.81 грн
500+42.45 грн
1000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY.pdf
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
Power dissipation: 0.95W
On-state resistance: 0.15Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+119.69 грн
10+71.86 грн
100+51.33 грн
250+44.88 грн
500+40.38 грн
1000+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 8290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+131.57 грн
10+82.68 грн
100+48.28 грн
500+38.27 грн
1000+35.31 грн
2500+35.24 грн
5000+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 VISH-S-A0002473619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4948BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+134.86 грн
10+86.34 грн
100+57.81 грн
500+42.45 грн
1000+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+135.59 грн
10+83.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
93+153.31 грн
124+114.78 грн
250+92.23 грн
500+73.52 грн
1000+57.00 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 si4948be.pdf
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.