на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 29.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5403DC-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI5403DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.3W, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI5403DC-T1-GE3 за ціною від 27.08 грн до 115.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5403DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin Chip FET T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI5403DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin Chip FET T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI5403DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin Chip FET T/R |
на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI5403DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin Chip FET T/R |
на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI5403DC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5403DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI5403DC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5403DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI5403DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET |
на замовлення 36973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI5403DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V |
на замовлення 2172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI5403DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
(1206-8,P-ch,Mosfet,30B,6A) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
SI5403DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI5403DC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 3.3W Case: PowerPAK® ChipFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |