на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 24.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5403DC-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI5403DC-T1-GE3 за ціною від 25.51 грн до 73.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5403DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI5403DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V |
на замовлення 5763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI5403DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET |
на замовлення 42935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI5403DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
(1206-8,P-ch,Mosfet,30B,6A) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI5403DC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; Idm: -20A; 3.3W; ChipFET Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 3.3W Case: ChipFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI5403DC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; Idm: -20A; 3.3W; ChipFET Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 3.3W Case: ChipFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |