Продукція > VISHAY SILICONIX > SI5418DU-T1-GE3
SI5418DU-T1-GE3

SI5418DU-T1-GE3 Vishay Siliconix

si5418du.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.20 грн
10+82.73 грн
100+55.63 грн
500+41.32 грн
1000+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5418DU-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI5418DU-T1-GE3 за ціною від 33.77 грн до 142.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI5418DU-T1-GE3 SI5418DU-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si5418du.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 18490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.20 грн
10+75.98 грн
100+52.25 грн
500+42.15 грн
1000+38.89 грн
3000+34.00 грн
6000+33.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI5418DU-T1-GE3 SI5418DU-T1-GE3 Виробник : Vishay si5418du.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5418DU-T1-GE3 SI5418DU-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si5418du.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5418DU-T1-GE3 Виробник : VISHAY si5418du.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 40A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 31W
Case: PowerPAK® ChipFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.