Продукція > VISHAY SILICONIX > SI5419DU-T1-GE3
SI5419DU-T1-GE3

SI5419DU-T1-GE3 Vishay Siliconix

si5419du.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.92 грн
6000+12.73 грн
9000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5419DU-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI5419DU-T1-GE3 за ціною від 12.77 грн до 41.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si5419du.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 30284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.48 грн
10+33.39 грн
100+21.55 грн
500+17.50 грн
1000+13.38 грн
3000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si5419du.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 11891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.58 грн
10+34.03 грн
100+23.64 грн
500+17.32 грн
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI5419DU-T1-GE3
Код товару: 133313 		si5419du.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
SI5419DU-T1-GE3 Виробник : VISHAY si5419du.pdf SI5419DU-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності