Продукція > VISHAY > SI5419DU-T1-GE3

SI5419DU-T1-GE3 Vishay

Name: SI5419DU-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 40165315-5
Price: 12675.93 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R

на замовлення 2604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
811+	15.63 грн
825+	15.37 грн
838+	15.13 грн
852+	14.34 грн
1000+	13.06 грн

Мінімальне замовлення: 811

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI5419DU-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI5419DU-T1-GE3 за ціною від 11.96 грн до 65.80 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI5419DU-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	15.90 грн
6000+	14.08 грн
9000+	13.45 грн
15000+	11.96 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI5419DU-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R

на замовлення 2604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
42+	17.27 грн
43+	17.01 грн
44+	16.74 грн
100+	15.88 грн
250+	14.47 грн
500+	13.66 грн
1000+	13.44 грн

Мінімальне замовлення: 42

В кошику од. на суму грн.

SI5419DU-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R

на замовлення 939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
692+	18.33 грн

Мінімальне замовлення: 692

В кошику од. на суму грн.

SI5419DU-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0001142604-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5408 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	27.66 грн
500+	21.93 грн
1000+	18.09 грн
5000+	15.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI5419DU-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 5408 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
23+	40.50 грн
28+	33.13 грн
100+	27.66 грн
500+	21.93 грн
1000+	18.09 грн
5000+	15.62 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

SI5419DU-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET

на замовлення 27098 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	42.58 грн
11+	34.06 грн
100+	23.29 грн
500+	18.89 грн
1000+	16.97 грн
3000+	14.89 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SI5419DU-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V

на замовлення 15267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	65.80 грн
10+	39.60 грн
100+	25.69 грн
500+	18.49 грн
1000+	16.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SI5419DU-T1-GE3
Код товару: 133313

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI5419DU-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.