Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SI5419DU-T1-GE3

SI5419DU-T1-GE3

si5419du.pdf
Код товару: 133313
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI5419DU-T1-GE3 за ціною від 11.46 грн до 63.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5419du.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.24 грн
6000+13.49 грн
9000+12.89 грн
15000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 Vishay si5419du.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
811+17.40 грн
825+17.12 грн
838+16.85 грн
852+15.98 грн
1000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 811 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 Vishay si5419du.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+17.95 грн
43+17.68 грн
44+17.40 грн
100+16.51 грн
250+15.04 грн
500+14.20 грн
1000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 Vishay si5419du.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
692+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 692 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5419du.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 16267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.35 грн
10+37.96 грн
100+24.63 грн
500+17.72 грн
1000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142604-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 4376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 SI5419DU-T1-GE3 Vishay Semiconductors si5419du.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 26486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 si5419du.pdf
SI5419DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.24 грн
6000+13.49 грн
9000+12.89 грн
15000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 si5419du.pdf
SI5419DU-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
811+17.40 грн
825+17.12 грн
838+16.85 грн
852+15.98 грн
1000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 811 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 si5419du.pdf
SI5419DU-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+17.95 грн
43+17.68 грн
44+17.40 грн
100+16.51 грн
250+15.04 грн
500+14.20 грн
1000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 si5419du.pdf
SI5419DU-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
692+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 692 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 si5419du.pdf
SI5419DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 16267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.35 грн
10+37.96 грн
100+24.63 грн
500+17.72 грн
1000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 VISH-S-A0001142604-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI5419DU-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 4376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5419DU-T1-GE3 si5419du.pdf
SI5419DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 26486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.