SI5424DC-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 79.94 грн |
| 10+ | 69.87 грн |
| 100+ | 41.46 грн |
| 500+ | 34.58 грн |
| 1000+ | 29.46 грн |
| 3000+ | 26.73 грн |
| 6000+ | 24.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5424DC-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI5424DC-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5424DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
SI5424DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin Chip FET T/R |
товару немає в наявності |
|
|
|
SI5424DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |