Продукція > VISHAY SILICONIX > SI5424DC-T1-GE3
SI5424DC-T1-GE3

SI5424DC-T1-GE3 Vishay Siliconix

si5424dc.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5424DC-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI5424DC-T1-GE3 за ціною від 22.81 грн до 73.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI5424DC-T1-GE3 SI5424DC-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si5424dc.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.28 грн
10+50.73 грн
100+35.11 грн
500+27.53 грн
1000+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI5424DC-T1-GE3 SI5424DC-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si5424dc.pdf MOSFET 30V Vds 25V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.47 грн
10+64.21 грн
100+38.11 грн
500+31.78 грн
1000+27.07 грн
3000+24.57 грн
6000+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI5424DC-T1-GE3 SI5424DC-T1-GE3 Виробник : Vishay si5424dc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5424DC-T1-GE3 Виробник : VISHAY si5424dc.pdf SI5424DC-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.