SI5429DU-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5429DU-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI5429DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 12, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 31, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 1, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SI5429DU-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5429DU-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
SI5429DU-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI5429DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 12 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 31 Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SI5429DU-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SI5429DU-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5429DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SI5429DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 12
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 31
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.