Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI5441BDC-T1-GE3

SI5441BDC-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Name: SI5441BDC-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 148794-4
Price: 387.1 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V 6.1A 2.5W 45mohm @ 4.5V

на замовлення 13056 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	77.42 грн
10+	62.52 грн
100+	42.38 грн
500+	35.83 грн
1000+	29.21 грн
3000+	29.06 грн
24000+	28.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI5441BDC-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -6.1A, Pulsed drain current: -20A, Power dissipation: 2.5W, Case: PowerPAK® ChipFET, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 80mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 22nC, Technology: TrenchFET®, кількість в упаковці: 3000 шт.

Інші пропозиції SI5441BDC-T1-GE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI5441BDC-T1-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8	на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI5441BDC-T1-GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI5441BDC-T1-GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI5441BDC-T1-GE3	Виробник : VISHAY	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6.1A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: PowerPAK® ChipFET Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Gate charge: 22nC Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 3000 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI5441BDC-T1-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI5441BDC-T1-GE3	Виробник : VISHAY	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6.1A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: PowerPAK® ChipFET Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Gate charge: 22nC Technology: TrenchFET®	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.