SI5441BDC-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 13056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 70.08 грн |
| 10+ | 56.59 грн |
| 100+ | 38.36 грн |
| 500+ | 32.43 грн |
| 1000+ | 26.44 грн |
| 3000+ | 26.3 грн |
| 24000+ | 25.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5441BDC-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A, Mounting: SMD, On-state resistance: 80mΩ, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Pulsed drain current: -20A, Power dissipation: 2.5W, Gate charge: 22nC, Polarisation: unipolar, Drain current: -6.1A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: -20V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±12V, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI5441BDC-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5441BDC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8 |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
SI5441BDC-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R |
товар відсутній |
|
 |
SI5441BDC-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R |
товар відсутній |
|
| SI5441BDC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A Mounting: SMD On-state resistance: 80mΩ Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Gate charge: 22nC Polarisation: unipolar Drain current: -6.1A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||
|
|
SI5441BDC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8 |
товар відсутній |
|
| SI5441BDC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.1A; Idm: -20A Mounting: SMD On-state resistance: 80mΩ Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Gate charge: 22nC Polarisation: unipolar Drain current: -6.1A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V |
товар відсутній |