Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI5441BDC-T1-GE3
SI5441BDC-T1-GE3

SI5441BDC-T1-GE3 Vishay Semiconductors

si5441bd.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V 6.1A 2.5W 45mohm @ 4.5V
на замовлення 13056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+73.48 грн
10+59.34 грн
100+40.22 грн
500+34.01 грн
1000+27.72 грн
3000+27.58 грн
24000+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5441BDC-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI5441BDC-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI5441BDC-T1-GE3 SI5441BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5441bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441BDC-T1-GE3 SI5441BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5441bd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441BDC-T1-GE3 si5441bd.pdf
SI5441BDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5441BDC-T1-GE3 si5441bd.pdf
SI5441BDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.