Продукція > VISHAY SILICONIX > SI5442DU-T1-GE3
SI5442DU-T1-GE3

SI5442DU-T1-GE3 Vishay Siliconix

si5442du.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.33 грн
6000+14.49 грн
9000+13.86 грн
15000+12.34 грн
21000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5442DU-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI5442DU-T1-GE3 за ціною від 13.99 грн до 66.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI5442DU-T1-GE3 SI5442DU-T1-GE3 Виробник : Vishay si5442du.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 25A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
685+18.77 грн
696+18.47 грн
707+18.18 грн
719+17.24 грн
1000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 685
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3 SI5442DU-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si5442du.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 7566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.01 грн
20+16.09 грн
3000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3 SI5442DU-T1-GE3 Виробник : Vishay si5442du.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 25A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+25.64 грн
32+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3 SI5442DU-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si5442du.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
на замовлення 32607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.37 грн
10+39.98 грн
100+26.08 грн
500+18.86 грн
1000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3 SI5442DU-T1-GE3 Виробник : Vishay si5442du.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 25A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.