SI5442DU-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.19 грн |
| 6000+ | 14.41 грн |
| 9000+ | 14.20 грн |
| 15000+ | 13.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5442DU-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI5442DU-T1-GE3 за ціною від 18.40 грн до 60.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI5442DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V |
на замовлення 39224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI5442DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK ChipFET |
на замовлення 29973 шт: термін постачання 75-84 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI5442DU-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 60A; 31W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 25A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 31W Case: PowerPAK® ChipFET Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SI5442DU-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 60A; 31W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 25A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 31W Case: PowerPAK® ChipFET Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
товару немає в наявності |