Продукція > VISHAY SILICONIX > SI5442DU-T1-GE3
SI5442DU-T1-GE3

SI5442DU-T1-GE3 Vishay Siliconix

si5442du.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.57 грн
9000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5442DU-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI5442DU-T1-GE3 за ціною від 15.35 грн до 79.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI5442DU-T1-GE3 SI5442DU-T1-GE3 Vishay si5442du.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 25A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
685+21.40 грн
696+21.05 грн
707+20.72 грн
719+19.65 грн
1000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 685 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3 SI5442DU-T1-GE3 Vishay Semiconductors si5442du.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 7566 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
13+24.14 грн
18+17.65 грн
3000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3 SI5442DU-T1-GE3 Vishay si5442du.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 25A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.28 грн
32+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3 SI5442DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5442du.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
на замовлення 19569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.35 грн
10+47.91 грн
50+35.33 грн
100+29.34 грн
500+22.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3 si5442du.pdf
SI5442DU-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 25A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
685+21.40 грн
696+21.05 грн
707+20.72 грн
719+19.65 грн
1000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 685 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3 si5442du.pdf
SI5442DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 7566 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.14 грн
18+17.65 грн
3000+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3 si5442du.pdf
SI5442DU-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 25A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+27.28 грн
32+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3 si5442du.pdf
SI5442DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
на замовлення 19569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.35 грн
10+47.91 грн
50+35.33 грн
100+29.34 грн
500+22.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.