Продукція > VISHAY SILICONIX > SI5442DU-T1-GE3
SI5442DU-T1-GE3

SI5442DU-T1-GE3 Vishay Siliconix

si5442du.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.57 грн
6000+13.83 грн
9000+13.62 грн
15000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5442DU-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI5442DU-T1-GE3 за ціною від 17.66 грн до 57.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI5442DU-T1-GE3 SI5442DU-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si5442du.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
на замовлення 39224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.67 грн
10+32.73 грн
100+23.39 грн
500+19.53 грн
1000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3 SI5442DU-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si5442du-1764366.pdf MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 29973 шт:
термін постачання 75-84 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.57 грн
10+49.49 грн
100+33.02 грн
500+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI5442DU-T1-GE3 Виробник : VISHAY si5442du.pdf SI5442DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.