Продукція > VISHAY > SI5448DU-T1-GE3
SI5448DU-T1-GE3

SI5448DU-T1-GE3 VISHAY

si5448du.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5448DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.00646 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00646ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.70 грн
500+18.75 грн
1000+15.00 грн
5000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5448DU-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI5448DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.00646 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00646ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI5448DU-T1-GE3 за ціною від 13.89 грн до 55.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI5448DU-T1-GE3 SI5448DU-T1-GE3 Виробник : VISHAY si5448du.pdf Description: VISHAY - SI5448DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.00646 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00646ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+44.28 грн
22+37.20 грн
100+26.70 грн
500+18.75 грн
1000+15.00 грн
5000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Si5448DU-T1-GE3 Si5448DU-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si5448du-1766398.pdf MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 47946 шт:
термін постачання 595-604 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.03 грн
10+47.90 грн
100+31.93 грн
500+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Si5448DU-T1-GE3 Виробник : VISHAY si5448du.pdf SI5448DU-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si5448DU-T1-GE3 Si5448DU-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si5448du.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si5448DU-T1-GE3 Si5448DU-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si5448du.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.