на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 590+ | 21.03 грн |
| 647+ | 19.18 грн |
| 654+ | 18.99 грн |
| 703+ | 17.02 грн |
| 1000+ | 15.18 грн |
| 3000+ | 14.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5448DU-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI5448DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.00646 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00646ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI5448DU-T1-GE3 за ціною від 14.65 грн до 77.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI5448DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI5448DU-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5448DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.00646 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00646ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI5448DU-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5448DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.00646 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00646ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
Si5448DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET |
на замовлення 50350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI5448DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
Si5448DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 25A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.75mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
Si5448DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 25A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.75mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Single Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| Si5448DU-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 25A; Idm: 100A; 31W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 31W Case: PowerPAK® ChipFET On-state resistance: 9.47mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |