SI5457DC-T1-GE3

SI5457DC-T1-GE3 Vishay Siliconix


si5457dc.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.60 грн
6000+12.64 грн
9000+12.00 грн
15000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5457DC-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.7W, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI5457DC-T1-GE3 за ціною від 13.42 грн до 48.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 Виробник : VISHAY si5457dc.pdf Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 76396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.23 грн
500+15.09 грн
1000+13.71 грн
5000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si5457dc.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 19091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.02 грн
15+21.85 грн
100+18.20 грн
500+14.93 грн
1000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 Виробник : VISHAY si5457dc.pdf Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.7W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 76396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+33.01 грн
35+24.29 грн
100+20.23 грн
500+15.09 грн
1000+13.71 грн
5000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 Виробник : Vishay si5457dc.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+40.82 грн
18+34.58 грн
25+34.23 грн
50+32.17 грн
100+23.71 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si5457dc.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 180146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.51 грн
11+31.85 грн
100+20.45 грн
500+16.75 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 Виробник : Vishay si5457dc.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 Виробник : Vishay si5457dc.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SMD T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5457DC-T1-GE3 Виробник : VISHAY si5457dc.pdf SI5457DC-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.