SI5457DC-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.26 грн |
| 6000+ | 12.32 грн |
| 9000+ | 11.70 грн |
| 15000+ | 10.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5457DC-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.7W, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI5457DC-T1-GE3 за ціною від 13.09 грн до 47.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5457DC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.7W Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 76696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI5457DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V |
на замовлення 19091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI5457DC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.7W Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 76696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI5457DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R |
на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI5457DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET |
на замовлення 180146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI5457DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R |
на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
SI5457DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin SMD T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SI5457DC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A On-state resistance: 56mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 38nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -20A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SI5457DC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A On-state resistance: 56mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 38nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -20A |
товару немає в наявності |