SI5458DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 8702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.25 грн |
| 10+ | 44.19 грн |
| 100+ | 25.09 грн |
| 500+ | 19.63 грн |
| 6000+ | 19.25 грн |
| 9000+ | 18.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5458DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerPAK® ChipFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Gate charge: 9nC, Drain current: 6A, On-state resistance: 51mΩ, Power dissipation: 10.4W, Pulsed drain current: 20A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 30V, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI5458DU-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SI5458DU-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® ChipFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 9nC Drain current: 6A On-state resistance: 51mΩ Power dissipation: 10.4W Pulsed drain current: 20A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
SI5458DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET |
товару немає в наявності |
|
|
|
SI5458DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET |
товару немає в наявності |
|
|
|
SI5458DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET |
товару немає в наявності |
|
| SI5458DU-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerPAK® ChipFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 9nC Drain current: 6A On-state resistance: 51mΩ Power dissipation: 10.4W Pulsed drain current: 20A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V |
товару немає в наявності |