Продукція > VISHAY SILICONIX > SI5458DU-T1-GE3
SI5458DU-T1-GE3

SI5458DU-T1-GE3 Vishay Siliconix

si5458du.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 10.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5458DU-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 6A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 10.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI5458DU-T1-GE3 за ціною від 16.46 грн до 74.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI5458DU-T1-GE3 SI5458DU-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si5458du.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 10.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.90 грн
10+40.91 грн
100+26.63 грн
500+19.22 грн
1000+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI5458DU-T1-GE3 SI5458DU-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si5458du.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 8002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.48 грн
10+45.86 грн
100+26.03 грн
500+19.98 грн
1000+18.14 грн
3000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI5458DU-T1-GE3 Виробник : VISHAY si5458du.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 10.4W
Case: PowerPAK® ChipFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.