SI5458DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 9446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.94 грн |
| 10+ | 77.73 грн |
| 500+ | 30.46 грн |
| 3000+ | 16.59 грн |
| 6000+ | 15.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5458DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 6A, On-state resistance: 51mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 10.4W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 9nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 20A, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SI5458DU-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SI5458DU-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A On-state resistance: 51mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 10.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 9nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
SI5458DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET |
товару немає в наявності |
|
|
|
SI5458DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET |
товару немає в наявності |
|
|
|
SI5458DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET |
товару немає в наявності |
|
| SI5458DU-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A On-state resistance: 51mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 10.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 9nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |