Продукція > VISHAY / SILICONIX > SI5458DU-T1-GE3

SI5458DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Name: SI5458DU-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 142036-4
Price: 395.65 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET

на замовлення 9446 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	79.13 грн
10+	77.92 грн
500+	30.53 грн
3000+	16.63 грн
6000+	15.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI5458DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 6A, On-state resistance: 51mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 10.4W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 9nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 20A, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 3000 шт.

Інші пропозиції SI5458DU-T1-GE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI5458DU-T1-GE3	Виробник : VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A On-state resistance: 51mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 10.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 9nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI5458DU-T1-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI5458DU-T1-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI5458DU-T1-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI5458DU-T1-GE3	Виробник : VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6A; Idm: 20A; 10.4W Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A On-state resistance: 51mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 10.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 9nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A Mounting: SMD	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.