Продукція > VISHAY SILICONIX > SI5459DU-T1-GE3
SI5459DU-T1-GE3

SI5459DU-T1-GE3 Vishay Siliconix

si5459du.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.86 грн
10+40.55 грн
100+27.62 грн
500+19.99 грн
1000+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5459DU-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 10.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI5459DU-T1-GE3 за ціною від 14.78 грн до 68.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI5459DU-T1-GE3 SI5459DU-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si5459du.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 16924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+68.80 грн
10+45.82 грн
100+25.98 грн
500+20.04 грн
1000+18.06 грн
3000+16.53 грн
6000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI5459DU-T1-GE3 SI5459DU-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si5459du.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.