SI5459DU-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.34 грн |
| 9000+ | 14.71 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5459DU-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 10.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI5459DU-T1-GE3 за ціною від 16.48 грн до 78.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI5459DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 10.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V |
на замовлення 16381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI5459DU-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK ChipFET |
на замовлення 13330 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| SI5459DU-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V
на замовлення 16381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 70.62 грн |
| 10+ | 42.56 грн |
| 50+ | 31.39 грн |
| 100+ | 26.04 грн |
| 500+ | 20.05 грн |
| SI5459DU-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK ChipFET
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 13330 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 78.47 грн |
| 10+ | 35.73 грн |
| 100+ | 27.54 грн |
| 500+ | 21.14 грн |
| 1000+ | 20.31 грн |
| 3000+ | 16.48 грн |