Продукція > VISHAY SILICONIX > SI5459DU-T1-GE3
SI5459DU-T1-GE3

SI5459DU-T1-GE3 Vishay Siliconix

si5459du.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5459DU-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 10.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI5459DU-T1-GE3 за ціною від 15.06 грн до 74.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI5459DU-T1-GE3 SI5459DU-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si5459du.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 10.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V
на замовлення 3891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.38 грн
10+42.46 грн
100+27.70 грн
500+20.01 грн
1000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI5459DU-T1-GE3 SI5459DU-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si5459du.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 16918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.81 грн
10+46.69 грн
100+26.47 грн
500+20.42 грн
1000+18.40 грн
3000+15.91 грн
6000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI5459DU-T1-GE3 SI5459DU-T1-GE3 Виробник : Vishay si5459du.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5459DU-T1-GE3 Виробник : VISHAY si5459du.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 10.9W
Case: PowerPAK® ChipFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.