SI5468DC-T1-GE3

SI5468DC-T1-GE3 Vishay Siliconix


si5468dc.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5468DC-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 5.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI5468DC-T1-GE3 за ціною від 9.84 грн до 35.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI5468DC-T1-GE3 SI5468DC-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si5468dc.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 67472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.95 грн
12+ 25.96 грн
100+ 12.52 грн
1000+ 10.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI5468DC-T1-GE3 SI5468DC-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si5468dc.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.3 грн
11+ 27.4 грн
100+ 18.65 грн
500+ 13.12 грн
1000+ 9.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI5468DC-T1-GE3 SI5468DC-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si5468dc-260473.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 5891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SI5468DC-T1-GE3 Виробник : VISHAY si5468dc.pdf SOT26/SOT363
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI5468DC-T1-GE3 Виробник : VISHAY si5468dc.pdf SI5468DC-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI5468DC-T1-GE3 SI5468DC-T1-GE3 Виробник : Vishay si5468dc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній