на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5471DC-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.3W, Bauform - Transistor: 1206, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.
Інші пропозиції SI5471DC-T1-GE3 за ціною від 16.78 грн до 57.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5471DC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: 1206 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI5471DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET |
на замовлення 76154 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI5471DC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: 1206 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI5471DC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -25A Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A On-state resistance: 62mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 6.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 96nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -25A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
SI5471DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SI5471DC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SI5471DC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6A; Idm: -25A Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A On-state resistance: 62mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 6.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 96nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -25A |
товар відсутній |