Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI5476DU-T1-GE3
SI5476DU-T1-GE3

SI5476DU-T1-GE3 Vishay Semiconductors

si5476du-1766213.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 5440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.31 грн
10+99.10 грн
100+67.00 грн
500+55.35 грн
1000+43.71 грн
3000+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5476DU-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 60V 12A CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SI5476DU-T1-GE3 за ціною від 55.63 грн до 135.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI5476DU-T1-GE3 SI5476DU-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si5476du.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.20 грн
10+82.73 грн
100+55.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI5476DU-T1-GE3 SI5476DU-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si5476du.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5476DU-T1-GE3 Виробник : VISHAY si5476du.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 25A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 31W
Case: PowerPAK® ChipFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.