Продукція > VISHAY SILICONIX > SI5504BDC-T1-GE3
SI5504BDC-T1-GE3

SI5504BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix

si5504bdc.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.60 грн
6000+27.38 грн
9000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5504BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.12W, 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI5504BDC-T1-GE3 за ціною від 26.35 грн до 115.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI5504BDC-T1-GE3 SI5504BDC-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si5504bdc.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SI55
на замовлення 45294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.47 грн
10+65.07 грн
100+42.93 грн
500+35.30 грн
1000+29.65 грн
3000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-GE3 SI5504BDC-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si5504bdc.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W, 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 33298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.91 грн
10+70.49 грн
100+46.95 грн
500+34.58 грн
1000+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-GE3 SI5504BDC-T1-GE3 Виробник : Vishay si5504bdc.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.5A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-GE3 SI5504BDC-T1-GE3 Виробник : Vishay si5504bdc.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.5A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-GE3 SI5504BDC-T1-GE3 Виробник : Vishay si5504bdc.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.5A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5504BDC-T1-GE3 Виробник : VISHAY si5504bdc.pdf SI5504BDC-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.