Продукція > VISHAY > SI5504DC-T1-E3

SI5504DC-T1-E3 VISHAY

Виробник: VISHAY
SMD

на замовлення 86200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI5504DC-T1-E3 VISHAY

Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції SI5504DC-T1-E3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI5504DC-T1-E3	Виробник : VISHAY	08+ SSOP20	на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI5504DC-T1-E3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8-Pin Chip FET T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI5504DC-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Obsolete	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI5504DC-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Obsolete	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.