SI5513CDC-T1-E3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.72 грн |
| 10+ | 38.01 грн |
| 100+ | 21.45 грн |
| 500+ | 16.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5513CDC-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™.
Інші пропозиції SI5513CDC-T1-E3 за ціною від 15.94 грн до 63.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5513CDC-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ |
на замовлення 2111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI5513CDC-T1-E3 |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
SI5513CDC-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ |
товару немає в наявності |