Продукція > VISHAY SILICONIX > SI5513CDC-T1-E3
SI5513CDC-T1-E3

SI5513CDC-T1-E3 Vishay Siliconix

si5513cd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5513CDC-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™.

Інші пропозиції SI5513CDC-T1-E3 за ціною від 16.88 грн до 66.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI5513CDC-T1-E3 SI5513CDC-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si5513cd.pdf MOSFETs 20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.30 грн
10+43.63 грн
100+24.88 грн
500+19.08 грн
1000+17.83 грн
9000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513CDC-T1-E3 SI5513CDC-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si5513cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 5386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.69 грн
10+40.06 грн
100+26.00 грн
500+18.71 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513CDC-T1-E3 si5513cd.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513CDC-T1-E3 SI5513CDC-T1-E3 Виробник : Vishay si5513cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/2.4A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5513CDC-T1-E3 Виробник : VISHAY si5513cd.pdf SI5513CDC-T1-E3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.