SI5515CDC-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SI5515CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 83.38 грн |
| 16+ | 56.41 грн |
| 100+ | 40.63 грн |
| 500+ | 28.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5515CDC-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI5515CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: 1206, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI5515CDC-T1-GE3 за ціною від 19.66 грн до 91.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5515CDC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ |
на замовлення 563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI5515CDC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET |
на замовлення 37358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI5515CDC-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI5515CDC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4/-4A; 3.1W Case: 1206-8 ChipFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 11/11.3nC On-state resistance: 156/50mΩ Power dissipation: 3.1W Drain current: 4/-4A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20/-20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N/P-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SI5515CDC-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI5515CDC-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4/-4A; 3.1W Case: 1206-8 ChipFET Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 11/11.3nC On-state resistance: 156/50mΩ Power dissipation: 3.1W Drain current: 4/-4A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20/-20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N/P-MOSFET |
товару немає в наявності |