Продукція > VISHAY SILICONIX > SI5515CDC-T1-GE3
SI5515CDC-T1-GE3

SI5515CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix

si5515cd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.52 грн
9000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5515CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI5515CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: 1206, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SI5515CDC-T1-GE3 за ціною від 19.67 грн до 98.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI5515CDC-T1-GE3 SI5515CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5515cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 23713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.39 грн
10+58.41 грн
50+43.34 грн
100+36.10 грн
500+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-GE3 SI5515CDC-T1-GE3 Vishay Semiconductors si5515cd.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 30296 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+98.10 грн
10+44.89 грн
100+34.68 грн
500+26.95 грн
1000+25.75 грн
3000+21.25 грн
9000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-GE3 SI5515CDC-T1-GE3 VISHAY si5515cd.pdf Description: VISHAY - SI5515CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-GE3 Vishay si5515cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.93 грн
13+60.50 грн
25+57.97 грн
100+43.36 грн
250+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-GE3 si5515cd.pdf
SI5515CDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 23713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.39 грн
10+58.41 грн
50+43.34 грн
100+36.10 грн
500+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-GE3 si5515cd.pdf
SI5515CDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 30296 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.10 грн
10+44.89 грн
100+34.68 грн
500+26.95 грн
1000+25.75 грн
3000+21.25 грн
9000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-GE3 si5515cd.pdf
SI5515CDC-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5515CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-GE3 si5515cd.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+72.93 грн
13+60.50 грн
25+57.97 грн
100+43.36 грн
250+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.