Продукція > VISHAY > SI5515CDC-T1-GE3
SI5515CDC-T1-GE3

SI5515CDC-T1-GE3 VISHAY


VISH-S-A0001121377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5515CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: 1206
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 797 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.02 грн
16+54.13 грн
100+38.99 грн
500+27.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5515CDC-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI5515CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.03 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: 1206, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI5515CDC-T1-GE3 за ціною від 19.01 грн до 87.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI5515CDC-T1-GE3 SI5515CDC-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si5515cd.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 51530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.88 грн
10+55.24 грн
100+34.61 грн
500+26.56 грн
1000+23.95 грн
3000+19.96 грн
6000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-GE3 SI5515CDC-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si5515cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.92 грн
10+53.06 грн
100+34.94 грн
500+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-GE3 SI5515CDC-T1-GE3 Виробник : Vishay si5515cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-GE3 Виробник : VISHAY si5515cd.pdf SI5515CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5515CDC-T1-GE3 SI5515CDC-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si5515cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.