Продукція > VISHAY > SI5517DU-T1-GE3
SI5517DU-T1-GE3

SI5517DU-T1-GE3 VISHAY


VISH-S-A0001144397-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5517DU-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5517DU-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI5517DU-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.032 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SI5517DU-T1-GE3 за ціною від 27.43 грн до 132.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI5517DU-T1-GE3 SI5517DU-T1-GE3 Виробник : Vishay si5517du.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
на замовлення 9390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+65.02 грн
205+59.93 грн
274+44.64 грн
284+41.67 грн
500+33.31 грн
1000+28.65 грн
2000+27.61 грн
3000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
SI5517DU-T1-GE3 SI5517DU-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001144397-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI5517DU-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+119.66 грн
11+79.83 грн
100+57.65 грн
500+42.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI5517DU-T1-GE3 SI5517DU-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si5517du.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.45 грн
10+80.03 грн
100+47.74 грн
500+39.98 грн
1000+35.80 грн
3000+33.49 грн
6000+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI5517DU-T1-GE3 SI5517DU-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si5517du.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 8.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.33 грн
10+80.65 грн
100+54.05 грн
500+40.01 грн
1000+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI5517DU-T1-GE3 SI5517DU-T1-GE3 Виробник : Vishay si5517du.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 7.2A/4.6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5517DU-T1-GE3 Виробник : VISHAY si5517du.pdf SI5517DU-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5517DU-T1-GE3 SI5517DU-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si5517du.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 8.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.