на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 54.14 грн |
| 12+ | 49.37 грн |
| 25+ | 48.87 грн |
| 50+ | 46.66 грн |
| 100+ | 32.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5902BDC-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.12W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™.
Інші пропозиції SI5902BDC-T1-E3 за ціною від 33.45 грн до 84.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5902BDC-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
 MOSFET 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET |
на замовлення 5921 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI5902BDC-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.12W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ |
на замовлення 1442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI5902BDC-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| SI5902BDC-T1-E3 |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
SI5902BDC-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI5902BDC-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4A; Idm: 10A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 3.12W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
SI5902BDC-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.12W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI5902BDC-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4A; Idm: 10A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 3.12W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |