| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 147+ | 96.03 грн |
| 149+ | 95.07 грн |
| 188+ | 75.11 грн |
| 250+ | 71.71 грн |
| 500+ | 55.99 грн |
| 1000+ | 39.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5902BDC-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.12W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™.
Інші пропозиції SI5902BDC-T1-GE3 за ціною від 39.04 грн до 139.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R |
на замовлення 2028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.12W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ |
на замовлення 3482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET |
на замовлення 21605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI5902BDC-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 117.06 грн |
| 10+ | 95.44 грн |
| 25+ | 94.50 грн |
| 100+ | 70.30 грн |
| 250+ | 64.44 грн |
| 500+ | 52.10 грн |
| 1000+ | 39.30 грн |
| SI5902BDC-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 3482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 139.21 грн |
| 10+ | 85.33 грн |
| 100+ | 57.42 грн |
| 500+ | 42.65 грн |
| 1000+ | 39.04 грн |
| SI5902BDC-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
MOSFET 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 21605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)