Продукція > VISHAY > SI5902BDC-T1-GE3
SI5902BDC-T1-GE3

SI5902BDC-T1-GE3 Vishay

si5902bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
147+83.02 грн
149+82.19 грн
188+64.94 грн
250+62.00 грн
500+48.41 грн
1000+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5902BDC-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.12W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™.

Інші пропозиції SI5902BDC-T1-GE3 за ціною від 31.55 грн до 141.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI5902BDC-T1-GE3 SI5902BDC-T1-GE3 Виробник : Vishay si5902bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+93.98 грн
10+76.63 грн
25+75.87 грн
100+56.44 грн
250+51.73 грн
500+41.83 грн
1000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI5902BDC-T1-GE3 SI5902BDC-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si5902bd.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 21605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.42 грн
10+81.05 грн
100+53.93 грн
500+45.47 грн
1000+37.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI5902BDC-T1-GE3 SI5902BDC-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si5902bd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
на замовлення 3482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.65 грн
10+86.83 грн
100+58.43 грн
500+43.40 грн
1000+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI5902BDC-T1-GE3 SI5902BDC-T1-GE3 Виробник : Vishay si5902bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5902BDC-T1-GE3 SI5902BDC-T1-GE3 Виробник : Vishay si5902bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5902BDC-T1-GE3 Виробник : VISHAY si5902bd.pdf SI5902BDC-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5902BDC-T1-GE3 SI5902BDC-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si5902bd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.