SI5908DC-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 41.98 грн |
| 6000+ | 37.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5908DC-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI5908DC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.032 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI5908DC-T1-E3 за ціною від 37.17 грн до 152.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5908DC-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI5908DC-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET |
на замовлення 13333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI5908DC-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI5908DC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.032 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI5908DC-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Active |
на замовлення 6244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI5908DC-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
08+ SOP-8 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI5908DC-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SOT23-8 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
SI5908DC-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI5908DC-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI5908DC-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5.9A; Idm: 20A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.9A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 2.1W Case: 1206-8 ChipFET Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SI5908DC-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 5.9A; Idm: 20A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.9A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 2.1W Case: 1206-8 ChipFET Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |