SI5908DC-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 39.85 грн |
| 6000+ | 36.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5908DC-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI5908DC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.032 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI5908DC-T1-E3 за ціною від 40.75 грн до 144.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5908DC-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI5908DC-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 Part Status: Active Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.1W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 6244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI5908DC-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET |
на замовлення 13333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SI5908DC-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI5908DC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.032 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5908DC-T1-E3 | VISHAY |
SOT23-8 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI5908DC-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 82.82 грн |
| SI5908DC-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 144.68 грн |
| 10+ | 88.64 грн |
| 100+ | 59.79 грн |
| 500+ | 44.49 грн |
| 1000+ | 40.75 грн |
| SI5908DC-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
MOSFET 20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 13333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI5908DC-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5908DC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI5908DC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI5908DC-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
SOT23-8
SOT23-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)