SI5908DC-T1-E3 Vishay Siliconix


si5908dc.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+40.40 грн
6000+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5908DC-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI5908DC-T1-E3 за ціною від 34.40 грн до 146.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI5908DC-T1-E3 SI5908DC-T1-E3 Vishay Semiconductors si5908dc.pdf MOSFET 20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 13333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.96 грн
10+81.87 грн
100+55.68 грн
500+47.22 грн
1000+38.41 грн
3000+36.09 грн
6000+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-E3 SI5908DC-T1-E3 Vishay Siliconix si5908dc.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.69 грн
10+89.87 грн
100+60.62 грн
500+45.11 грн
1000+41.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-E3 VISHAY si5908dc.pdf SOT23-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-E3 si5908dc.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 13333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+101.96 грн
10+81.87 грн
100+55.68 грн
500+47.22 грн
1000+38.41 грн
3000+36.09 грн
6000+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-E3 si5908dc.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+146.69 грн
10+89.87 грн
100+60.62 грн
500+45.11 грн
1000+41.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5908DC-T1-E3 si5908dc.pdf
Виробник: VISHAY
SOT23-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.