SI5908DC-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 39.85 грн |
| 6000+ | 36.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5908DC-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI5908DC-T1-GE3 за ціною від 40.75 грн до 93.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5908DC-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI5908DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Active |
на замовлення 11042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI5908DC-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET |
на замовлення 33407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI5908DC-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI5908DC-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 74.28 грн |
| 12+ | 64.66 грн |
| 25+ | 50.07 грн |
| SI5908DC-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 11042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 93.07 грн |
| 10+ | 63.94 грн |
| 100+ | 50.30 грн |
| 500+ | 43.03 грн |
| 1000+ | 40.75 грн |
| SI5908DC-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 33407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI5908DC-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)