SI5935CDC-T1-E3 Vishay Semiconductors
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 55.74 грн |
| 10+ | 35.45 грн |
| 100+ | 20.55 грн |
| 500+ | 16.73 грн |
| 1000+ | 14.46 грн |
| 3000+ | 13.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5935CDC-T1-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI5935CDC-T1-E3 за ціною від 15.32 грн до 61.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5935CDC-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Active |
на замовлення 2817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI5935CDC-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET |
на замовлення 10501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
SI5935CDC-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin Chip FET T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI5935CDC-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SI5935CDC-T1-E3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SI5935CDC-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™ Part Status: Active |
товару немає в наявності |