SI5935CDC-T1-E3

SI5935CDC-T1-E3 Vishay Semiconductors


si5935cdc.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 2644 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.13 грн
10+38.66 грн
100+21.81 грн
500+16.69 грн
1000+15.06 грн
3000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5935CDC-T1-E3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI5935CDC-T1-E3 за ціною від 16.21 грн до 64.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI5935CDC-T1-E3 SI5935CDC-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si5935cdc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.66 грн
10+38.82 грн
100+25.10 грн
500+18.00 грн
1000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-E3 SI5935CDC-T1-E3 Виробник : Vishay si5935cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin Chip FET T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-E3 SI5935CDC-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si5935cdc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.