SI5935CDC-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 60.22 грн |
| 10+ | 36.15 грн |
| 100+ | 23.38 грн |
| 500+ | 16.76 грн |
| 1000+ | 15.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5935CDC-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8, Part Status: Active, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 3.1W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI5935CDC-T1-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5935CDC-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET |
на замовлення 2644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI5935CDC-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)