SI5935CDC-T1-E3

SI5935CDC-T1-E3 Vishay Semiconductors


si5935cdc.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 2644 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.55 грн
10+34.63 грн
100+19.54 грн
500+14.95 грн
1000+13.49 грн
3000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5935CDC-T1-E3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8, Part Status: Active, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 3.1W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI5935CDC-T1-E3 за ціною від 15.10 грн до 60.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI5935CDC-T1-E3 SI5935CDC-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si5935cdc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.24 грн
10+36.16 грн
100+23.38 грн
500+16.77 грн
1000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-E3 SI5935CDC-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si5935cdc.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.