Продукція > VISHAY SILICONIX > SI5935CDC-T1-GE3
SI5935CDC-T1-GE3

SI5935CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix

Si5935CDC.PDF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.47 грн
6000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5935CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI5935CDC-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.083 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 4, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4, hazardous: false, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.083, Verlustleistung Pd: 3.1, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.083, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI5935CDC-T1-GE3 за ціною від 13.72 грн до 55.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI5935CDC-T1-GE3 SI5935CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix Si5935CDC.PDF Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 8275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.53 грн
10+30.35 грн
100+19.32 грн
500+15.49 грн
1000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-GE3 SI5935CDC-T1-GE3 Vishay Semiconductors Si5935CDC.PDF MOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 19786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-GE3 Si5935CDC.PDF
SI5935CDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 8275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.53 грн
10+30.35 грн
100+19.32 грн
500+15.49 грн
1000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-GE3 Si5935CDC.PDF
SI5935CDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 19786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.