Продукція > VISHAY SILICONIX > SI5935CDC-T1-GE3
SI5935CDC-T1-GE3

SI5935CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix

Si5935CDC.PDF Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.55 грн
6000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI5935CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI5935CDC-T1-GE3 за ціною від 11.99 грн до 59.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI5935CDC-T1-GE3 SI5935CDC-T1-GE3 Виробник : Vishay si5935cdc.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-GE3 SI5935CDC-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors Si5935CDC.PDF MOSFETs -20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
на замовлення 21294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.70 грн
10+38.92 грн
100+22.00 грн
500+16.85 грн
1000+15.38 грн
3000+12.43 грн
9000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-GE3 SI5935CDC-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix Si5935CDC.PDF Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 9485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.69 грн
10+35.63 грн
100+22.76 грн
500+16.53 грн
1000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI5935CDC-T1-GE3 Виробник : VISHAY Si5935CDC.PDF SI5935CDC-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.