SI5936DU-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 78.99 грн |
| 10+ | 47.52 грн |
| 100+ | 31.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5936DU-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 10.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI5936DU-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5936DU-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET |
на замовлення 75889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI5936DU-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 75889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)