SI5936DU-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 173406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 65.19 грн |
| 10+ | 44.98 грн |
| 100+ | 26.70 грн |
| 500+ | 22.28 грн |
| 1000+ | 18.94 грн |
| 3000+ | 18.43 грн |
| 6000+ | 18.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI5936DU-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 10.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI5936DU-T1-GE3 за ціною від 19.77 грн до 77.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5936DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 10.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual Part Status: Active |
на замовлення 1169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI5936DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI5936DU-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI5936DU-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SI5936DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 10.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual Part Status: Active |
товару немає в наявності |