Si5948DU-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFet Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si5948DU-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® ChipFet Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 7W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual, Part Status: Active.
Інші пропозиції Si5948DU-T1-GE3 за ціною від 16.66 грн до 47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Si5948DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® ChipFet Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual Part Status: Active |
на замовлення 3239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
Si5948DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET |
на замовлення 11250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI5948DU-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 3.7A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| Si5948DU-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 6A; Idm: 10A; 7W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 6A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 7W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 94mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| Si5948DU-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 6A; Idm: 10A; 7W Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 6A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 7W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 94mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |