Si5948DU-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFet Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 19.17 грн |
| 9000+ | 16.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si5948DU-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI5948DU-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.065 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.065ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 7W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції Si5948DU-T1-GE3 за ціною від 22.09 грн до 77.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Si5948DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® ChipFet Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 7W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual Part Status: Active |
на замовлення 17148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
Si5948DU-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET |
на замовлення 7713 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SI5948DU-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI5948DU-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.065 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.065ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 7W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| Si5948DU-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFet Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® ChipFet Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFet Dual
Part Status: Active
на замовлення 17148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 77.36 грн |
| 10+ | 46.60 грн |
| 50+ | 34.44 грн |
| 100+ | 28.61 грн |
| 500+ | 22.09 грн |
| Si5948DU-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
на замовлення 7713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI5948DU-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI5948DU-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.065 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.065ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SI5948DU-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.065 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.065ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)