SI6423ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET PCH 20V 10.3/12.5A 8TSSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.98 грн |
| 10+ | 58.74 грн |
| 100+ | 39.69 грн |
| 500+ | 29.17 грн |
| 1000+ | 26.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI6423ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET PCH 20V 10.3/12.5A 8TSSOP, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 10A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12.5A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Supplier Device Package: 8-TSSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.2W (Tc).
Інші пропозиції SI6423ADQ-T1-GE3 за ціною від 31.58 грн до 134.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI6423ADQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TSSOP8 P-CH 20V 10.3A |
на замовлення 5611 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|