Продукція > VISHAY > SI6423DQ-T1-GE3
SI6423DQ-T1-GE3

SI6423DQ-T1-GE3 Vishay

72257.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI6423DQ-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 400µA, Supplier Device Package: 8-TSSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V.

Інші пропозиції SI6423DQ-T1-GE3 за ціною від 47.2 грн до 132.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI6423DQ-T1-GE3 SI6423DQ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 72257.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+50.93 грн
6000+ 47.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI6423DQ-T1-GE3 SI6423DQ-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix 72257.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
на замовлення 7488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.1 грн
10+ 90.32 грн
100+ 71.91 грн
500+ 57.1 грн
1000+ 48.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI6423DQ-T1-GE3 SI6423DQ-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors 72257.pdf MOSFET -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8
на замовлення 9843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.08 грн
10+ 116.41 грн
100+ 81.91 грн
500+ 67.93 грн
1000+ 55.94 грн
3000+ 52.08 грн
6000+ 50.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI6423DQ-T1-GE3 Виробник : VISHAY 72257.pdf SI6423DQ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній