SI6423DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 51.68 грн |
| 6000+ | 46.70 грн |
| 9000+ | 45.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI6423DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI6423DQ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8.2 A, 8500 µohm, TSSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.05W, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SI6423DQ-T1-GE3 за ціною від 45.70 грн до 178.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI6423DQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8 |
на замовлення 6239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI6423DQ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI6423DQ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8.2 A, 8500 µohm, TSSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.05W Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI6423DQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 400µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V |
на замовлення 19389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|