Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI6562CDQ-T1-BE3
SI6562CDQ-T1-BE3

SI6562CDQ-T1-BE3 Vishay Semiconductors

si6562cd.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TSSOP DUAL CHAN 20V
на замовлення 11875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.67 грн
10+70.18 грн
100+41.51 грн
500+33.02 грн
1000+30.26 грн
3000+26.63 грн
6000+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI6562CDQ-T1-BE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.7A 8TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W (Ta), 1.6W (Tc), 1.2W (Ta), 1.7W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 6.7A (Tc), 5.1A (Ta), 6.1A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V, 1200pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V, 30mOhm @ 5.1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 51nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-TSSOP, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI6562CDQ-T1-BE3 за ціною від 30.59 грн до 112.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI6562CDQ-T1-BE3 SI6562CDQ-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si6562cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.7A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta), 1.6W (Tc), 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 6.7A (Tc), 5.1A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V, 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V, 30mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 3198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.25 грн
10+68.33 грн
100+45.51 грн
500+33.54 грн
1000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562CDQ-T1-BE3 SI6562CDQ-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si6562cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 5.7A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta), 1.6W (Tc), 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 6.7A (Tc), 5.1A (Ta), 6.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V, 1200pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V, 30mOhm @ 5.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.