SI6562CDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W, 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, 6.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 29.40 грн |
| 6000+ | 26.32 грн |
| 9000+ | 25.31 грн |
| 15000+ | 22.68 грн |
| 21000+ | 22.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI6562CDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI6562CDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.18 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI6562CDQ-T1-GE3 за ціною від 30.28 грн до 111.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI6562CDQ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI6562CDQ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI6562CDQ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI6562CDQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W, 1.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, 6.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP |
на замовлення 25087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI6562CDQ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR |
на замовлення 7357 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SI6562CDQ-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI6562CDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.18 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 17108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI6562CDQ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 60.31 грн |
| SI6562CDQ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 65.24 грн |
| 25+ | 64.60 грн |
| 100+ | 61.68 грн |
| 250+ | 56.55 грн |
| SI6562CDQ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 217+ | 65.24 грн |
| 219+ | 64.60 грн |
| 221+ | 63.96 грн |
| 250+ | 61.07 грн |
| SI6562CDQ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W, 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, 6.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W, 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, 6.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 25087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 111.05 грн |
| 10+ | 67.63 грн |
| 100+ | 45.07 грн |
| 500+ | 33.21 грн |
| 1000+ | 30.28 грн |
| SI6562CDQ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR
на замовлення 7357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI6562CDQ-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI6562CDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI6562CDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)