Продукція > VISHAY SILICONIX > SI6562CDQ-T1-GE3
SI6562CDQ-T1-GE3

SI6562CDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix

si6562cd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+30.36 грн
9000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI6562CDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI6562CDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.18 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SI6562CDQ-T1-GE3 за ціною від 34.29 грн до 114.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 Vishay si6562cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 Vishay si6562cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.24 грн
25+64.60 грн
100+61.68 грн
250+56.55 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 Vishay si6562cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+65.24 грн
219+64.60 грн
221+63.96 грн
250+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix si6562cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
на замовлення 52069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.72 грн
10+69.79 грн
50+52.22 грн
100+43.67 грн
500+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 Vishay Semiconductors si6562cd.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR
на замовлення 7357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562CDQ-T1-GE3 SI6562CDQ-T1-GE3 VISHAY VISHS99348-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI6562CDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562CDQ-T1-GE3 si6562cd.pdf
SI6562CDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562CDQ-T1-GE3 si6562cd.pdf
SI6562CDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+65.24 грн
25+64.60 грн
100+61.68 грн
250+56.55 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562CDQ-T1-GE3 si6562cd.pdf
SI6562CDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
217+65.24 грн
219+64.60 грн
221+63.96 грн
250+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562CDQ-T1-GE3 si6562cd.pdf
SI6562CDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
на замовлення 52069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.72 грн
10+69.79 грн
50+52.22 грн
100+43.67 грн
500+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562CDQ-T1-GE3 si6562cd.pdf
SI6562CDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR
на замовлення 7357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562CDQ-T1-GE3 VISHS99348-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI6562CDQ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI6562CDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.