SI6562CDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W, 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, 6.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 27.05 грн |
| 6000+ | 24.81 грн |
| 9000+ | 23.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI6562CDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI6562CDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.18 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.7, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18, Verlustleistung Pd: 1.6, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600, Verlustleistung, p-Kanal: 1.6, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI6562CDQ-T1-GE3 за ціною від 25.97 грн до 75.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI6562CDQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W, 1.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, 6.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP |
на замовлення 14443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI6562CDQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR |
на замовлення 24774 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI6562CDQ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI6562CDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.18 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.7 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18 Verlustleistung Pd: 1.6 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600 Verlustleistung, p-Kanal: 1.6 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20 euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI6562CDQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.7A/5.1A 8-Pin TSSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
SI6562CDQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.7A/5.1A 8-Pin TSSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
SI6562CDQ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4.2/-4.9A On-state resistance: 22/30mΩ Mounting: SMD Case: TSSOP8 Power dissipation: 1/1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 23/51nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 30A Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 4.2/-4.9A Type of transistor: N/P-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SI6562CDQ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20/-20V; 4.2/-4.9A On-state resistance: 22/30mΩ Mounting: SMD Case: TSSOP8 Power dissipation: 1/1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 23/51nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 30A Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 4.2/-4.9A Type of transistor: N/P-MOSFET |
товар відсутній |