SI6913DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 39.43 грн |
| 6000+ | 35.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI6913DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI6913DQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.016 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.9A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 830mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 830mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI6913DQ-T1-GE3 за ціною від 40.36 грн до 146.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI6913DQ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI6913DQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.016 ohm tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm Verlustleistung, p-Kanal: 830mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 830mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI6913DQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8 |
на замовлення 3373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI6913DQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 400µA Supplier Device Package: 8-TSSOP |
на замовлення 15688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI6913DQ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI6913DQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.016 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm Verlustleistung, p-Kanal: 830mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 830mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI6913DQ-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 4.9A 8-Pin TSSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI6913DQ-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI6913DQ-T1-GE3 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |