SI6913DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 38.48 грн |
| 6000+ | 34.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI6913DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 830mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 400µA, Supplier Device Package: 8-TSSOP.
Інші пропозиції SI6913DQ-T1-GE3 за ціною від 39.38 грн до 148.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI6913DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 400µA Supplier Device Package: 8-TSSOP |
на замовлення 15688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI6913DQ-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8 |
на замовлення 3907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SI6913DQ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 15688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 139.79 грн |
| 10+ | 85.86 грн |
| 100+ | 57.86 грн |
| 500+ | 43.01 грн |
| 1000+ | 39.38 грн |
| SI6913DQ-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8
на замовлення 3907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 148.19 грн |
| 10+ | 96.85 грн |
| 100+ | 57.99 грн |
| 500+ | 49.15 грн |
| 1000+ | 43.56 грн |