Технічний опис SI6926ADQ-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-TSSOP, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 830mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate.
Інші пропозиції SI6926ADQ-T1-E3 за ціною від 34.86 грн до 134.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI6926ADQ-T1-E3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI6926ADQ-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP Part Status: Active Supplier Device Package: 8-TSSOP Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 830mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI6926ADQ-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP Part Status: Active Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 830mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI6926ADQ-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs TSSOP-8 |
на замовлення 34808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI6926ADQ-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 36.17 грн |
| 6000+ | 34.86 грн |
| SI6926ADQ-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 36.48 грн |
| SI6926ADQ-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 134.52 грн |
| 10+ | 82.16 грн |
| 100+ | 55.14 грн |
| 500+ | 40.89 грн |
| 1000+ | 37.40 грн |
| SI6926ADQ-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs TSSOP-8
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs TSSOP-8
на замовлення 34808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)