SI6926ADQ-T1-E3

SI6926ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix


72754.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI6926ADQ-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-TSSOP, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 830mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate.

Інші пропозиції SI6926ADQ-T1-E3 за ціною від 26.22 грн до 134.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI6926ADQ-T1-E3 SI6926ADQ-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors 72754.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs TSSOP-8
на замовлення 34808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.85 грн
10+64.70 грн
100+37.41 грн
500+29.35 грн
1000+26.70 грн
3000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-E3 SI6926ADQ-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 72754.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.56 грн
10+82.19 грн
100+55.16 грн
500+40.91 грн
1000+37.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.